2000V 115A/Tc100°C Thread=C ,Rthjc=0,4K/W
Основная информация:
Маркировка изготовителя | SKNa86/20UNF |
Type of casing: | !_studb_! |
Kейс: | !_m 8 do-5_! |
Kategorie | Diode Avalanche |
Тип компонента: | !_diode avalanche_! |
Конфигурация: | !_single (1d) ba_! |
Спецификация: | Bonded contacts |
Тип материала: | !_si-silicon_! |
Разрыв (по номеру продукции) | 999.99 [mm] |
RoHS | Да |
REACH | Hет |
NOVINKA | A |
RoHS1 | Ano |
Упаковка и вес:
Единица: | штук |
Вес: | 20 [g] |
Тип упаковки: | BOX |
Малый пакет (количество единиц): | 36 |
Электрофизические параметры:
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1800 [V] |
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 115 [A] |
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C) | 115 [A] |
UF (maximum forward voltage) | 1.2 [VDC] |
I2t (TC/TA=25°C) | 11250 [1000*A2s] |
Тепловые и механические параметры:
Tmin (mинимальная рабочая температура) | -40 [°C] |
Tmax (mаксимальная рабочая температура) | 180 [°C] |
Rthjc (case) | 0.4 [°C/W] |
Number of Pins | 2 |
ПИН-Размеры выводов | 0.00 [mm] |
zavit | M 8.0 |
Альтернатив и заменителей
Альтернативные продукты 1: | DSAI 75-12B |
Альтернативные продукты 2: | DSAI75-18A |
Альтернативные продукты 3: | DSAI75-14A |
Альтернативные продукты 4: | DSAI 75-16A |