Чешская pеспублика (čeština) английский Германия (Deutsch) Австрия (Deutsch) Швейцария (Deutsch) Словакия (slovenčina) Венгрия (Magyarország) Румыния (Română) Франция (Française) Италия (italiano) Польша (polski) Эстония (eesti keel) Россия (pусский) Испания (español) Словения (slovenščina) Хорватия (hrvatski) Болгария (български)
У вас нет товаров в вашей корзине

APT10M07JVFR

N-channel MOSFET SOT-227B , 0,007 Ohm, 100V / 225A

!_prilohy_!:
Нажмите, чтобы увеличить
APT10M07JVFR Microchip Technology - Microsemi
APT10M07JVFR Microchip Technology - Microsemi
APT10M07JVFR Microchip Technology - Microsemi
штук
ID Code:186540
Производитель:Microchip Technology - Microsemi
Цена с НДС : 74,9852 €
Цена без НДС : 61,9713 €
VAT:21 %
Доступность:по запросу
Общий запас:0 штук
Маркировка изготовителя: APT10M07JVFR
Центральный склад Zdice: 0 штук
Внешний склад (срок поставки 5÷10 дней): 0 штук
Единица:: штук
!_prehled mnozstevnich slev_!
КоличествоЦена без НДСЦена с НДС
1 + 61,9713 €74,9852 €
5 + 59,4137 €71,8906 €
10 + 56,8168 €68,7484 €
25 + 54,2593 €65,6537 €
N-channel MOSFET SOT-227B , 0,007 Ohm, 100V / 225A
Power MOS V® is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V®
also achieves faster switching speeds through optimized gate layout.

Основная информация:

Маркировка изготовителяAPT10M07JVFR 
Type of casing:MODUL 
Kейс:SOT-227 
KategorieFET N-Channel 
Тип компонента:!_n_fet 1x single_! 
Конфигурация:single Transistor 
Тип материала:!_si-silicon_! 
Material BaseNo Info 
RoHSДа 
REACHHет 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Упаковка и вес:

Единица:штук 
Вес:30 [g]
Тип упаковки:TUBE 
Малый пакет (количество единиц):10 

Электрофизические параметры:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 100 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)225 [A]
Idc max (Tc/Ta=25°C)225 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)700  [W]
Input Logic Level (Ugs level)30V 
Rds(on) 10V (Ugs=10V)7 [mΩ]
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)250 [ns]
tr (Turn-on / rise time)120 [ns]
tf (turn-off=fall time)40 [ns]
Qg (Total Gate Charge)1050 [nC]
Cin/CL Load Capacitance21600 pF

Тепловые и механические параметры:

Tmin (mинимальная рабочая температура)-55 [°C]
Tmax (mаксимальная рабочая температура)150 [°C]
Rthjc (case)0.18 [°C/W]
ПИН-Размеры выводов0.00 [mm]

Ваш запрос APT10M07JVFR

!_vase jmeno, prijmeni, firma_!:*
!_vas email_!:*
!_vas telefon_!:*
Ваш запрос:*
Пожалуйста, перепишите код:* antispam
     Дополнительная информация

!_poslete odkaz svemu znamenu_!

!_vase jmeno_!
!_vas email_!
!_email vaseho znameho_!
Пожалуйста, переписать код с картинки antispam

В предоставление услуг поможет нам в печенье. С помощью наших услуг вы согласие на использование нами cookie-файлов.   Дополнительная информация