Чешская pеспублика (čeština) английский Германия (Deutsch) Австрия (Deutsch) Швейцария (Deutsch) Словакия (slovenčina) Венгрия (Magyarország) Румыния (Română) Франция (Française) Италия (italiano) Польша (polski) Эстония (eesti keel) Россия (pусский) Испания (español) Словения (slovenščina) Хорватия (hrvatski) Болгария (български)
У вас нет товаров в вашей корзине

MSCSM120TAM31CT3AG

SiC MOSFET 1200V / 71A SixPack

!_prilohy_!:
Нажмите, чтобы увеличить
MSCSM120TAM31CT3AG Microchip Technology
MSCSM120TAM31CT3AG Microchip Technology
штук
ID Code:186279
Производитель:Microchip Technology
Цена с НДС : 516,9675 €
Цена без НДС : 427,2458 €
VAT:21 %
Доступность:по запросу
Общий запас:0 штук
Маркировка изготовителя: MSCSM120TAM31CT3AG
Центральный склад Zdice: 0 штук
Внешний склад (срок поставки 5÷10 дней): 0 штук
Единица:: штук
!_prehled mnozstevnich slev_!
КоличествоЦена без НДСЦена с НДС
1 + 427,2458 €516,9675 €
5 + 409,4434 €495,4265 €
10 + 391,6414 €473,8861 €
25 + 373,8398 €452,3462 €
SiC MOSFET 1200V / 71A SixPack
The MSCSM120TAM31CT3AG device is designed for the following applications: • Uninterruptible Power Supplies • Switched Mode Power Supplies • EV motor and traction drive • Welding converters
• SiC Power MOSFET , High speed switching, Low RDS(on), Ultra low loss
• SiC Schottky Diode, Zero reverse recovery, Zero forward recovery, Temperature Independent switching behavior, Positive temperature coefficient on VF
• Very low stray inductance • Kelvin source for easy drive • Internal thermistor for temperature monitoring • Aluminum nitride (AlN) substrate for improved thermal performance

Основная информация:

Маркировка изготовителяMSCSM120TAM31CT3AG 
Type of casing:MODUL 
Kейс:!_modul-sp3f_! 
KategorieFull SiC (MOS+D) 
Тип компонента:!_sic mosfet+sic schottky diode_! 
Конфигурация:!_full bridge 3f_! 
Kонструкция:!_6*fet+6*d_! 
Тип материала:!_sic full_! 
Material BaseCu+AlN 
RoHSДа 
REACHHет 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Упаковка и вес:

Единица:штук 
Вес:110 [g]
Тип упаковки:BOX 
Малый пакет (количество единиц):

Электрофизические параметры:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)89 [A]
Idc max (Tc/Ta=25°C)89 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)71 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)395  [W]
Input Logic Level (Ugs level)20V 
Rds(on) 10V (Ugs=10V)31 [mΩ]
tr (Turn-on / rise time)30 [ns]
tf (turn-off=fall time)25 [ns]
Qg (Total Gate Charge)232 [nC]
Cin/CL Load Capacitance3020 pF

Тепловые и механические параметры:

Tmin (mинимальная рабочая температура)-40 [°C]
Tmax (mаксимальная рабочая температура)125 [°C]
Rthjc (case)0.075 [°C/W]
Rthjc1 IGBT0.38 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.9 [°C/W]
ПИН-Размеры выводов0.00 [mm]

Альтернатив и заменителей

Альтернатива 1:183781 - CCS050M12CM2 (CRE) 
Альтернативные продукты 1:CCB032M12FM3 

!_potrebujete poradit ?_! MSCSM120TAM31CT3AG Microchip Technology

!_vase jmeno, prijmeni, firma_!
!_vas email_!
!_vas telefon_!
Ваш запрос
     Дополнительная информация




!_poslete odkaz svemu znamenu_!

!_vase jmeno_!
!_vas email_!
!_email vaseho znameho_!
Пожалуйста, переписать код с картинки antispam

В предоставление услуг поможет нам в печенье. С помощью наших услуг вы согласие на использование нами cookie-файлов.   Дополнительная информация