MSCSM120AM036D3AG
MOSFET 1200V Full SiC
| ID Code: | 185422 |
| Производитель: | Microsemi / Microchip Technology |
| Цена с НДС : | 1 057,5133 € |
| Цена без НДС : | 873,9779 € |
| VAT: | 21 % |
| Доступность: | по запросу |
| Общий запас: | 0 штук |
| Маркировка изготовителя: | MSCSM120AM036D3AG |
| Центральный склад Zdice: | 0 штук |
| Внешний склад (срок поставки 5÷10 дней): | 0 штук |
| Единица:: | штук |
| !_prehled mnozstevnich slev_! | Количество | Цена без НДС | Цена с НДС |
| 1 + | 873,9779 € | 1 057,5133 € |
| 3 + | 786,5917 € | 951,7760 € |
| 6 + | 677,3494 € | 819,5927 € |
| 12 + | 655,4931 € | 793,1467 € |
MOSFET 1200V Full SiC without SiC diodes Phase Leg SiC
The following are the features of
. SiC Power MOSFET
. Low RDS(on)
. High temperature performance
. Temperature-independent switching behavior
. Kelvin Emitor for easy drive
. High level of integration
. M6 power connectors
. Aluminum nitride (AlN) substrate for improved thermal performance
Benefits: High efficiency converter, Stable temperature behavior, Direct mounting to heatsink (isolated package), Low junction to case thermal resistance, RoHS Compliant
Application: Welding converters, Switched Mode Power Supplies, Uninterruptible Power Supplies, EV motor and traction drive
The following are the features of
. SiC Power MOSFET
. Low RDS(on)
. High temperature performance
. Temperature-independent switching behavior
. Kelvin Emitor for easy drive
. High level of integration
. M6 power connectors
. Aluminum nitride (AlN) substrate for improved thermal performance
Benefits: High efficiency converter, Stable temperature behavior, Direct mounting to heatsink (isolated package), Low junction to case thermal resistance, RoHS Compliant
Application: Welding converters, Switched Mode Power Supplies, Uninterruptible Power Supplies, EV motor and traction drive
Основная информация:
| Маркировка изготовителя | MSCSM120AM036D3AG |
| Type of casing: | MODUL |
| Kейс: | SEMITRANS-3 |
| Kategorie | Full SiC (MOS) |
| Тип компонента: | !_n-mosfet_! |
| Конфигурация: | !_half bridge_! |
| Тип материала: | !_sic full_! |
| Material Base | Cu |
| RoHS | Да |
| REACH | Да |
| NOVINKA | A |
| RoHS1 | Ano |
| UL94 | V-0 |
Упаковка и вес:
| Единица: | штук |
| Вес: | 350 [g] |
| Тип упаковки: | BOX |
| Малый пакет (количество единиц): | 6 |
Электрофизические параметры:
| Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1200 [V] |
| Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 460 [A] |
| Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 460 [A] |
| Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
| Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 2031 [W] |
| Input Logic Level (Ugs level) | 20V |
| Rds(on) 10V (Ugs=10V) | 3.6 [mΩ] |
| tr (Turn-on / rise time) | 55 [ns] |
| tf (turn-off=fall time) | 67 [ns] |
| Ft (transition/operation frequency) (@Inom.) | 0.06 [MHz] |
| Qg (Total Gate Charge) | 1392 [nC] |
| Cin/CL Load Capacitance | 18100 pF |
Тепловые и механические параметры:
| Tmin (mинимальная рабочая температура) | -40 [°C] |
| Tmax (mаксимальная рабочая температура) | 175 [°C] |
| Rthjc (case) | 0.075 [°C/W] |
| Rthjc1 IGBT | 0.074 [°C/W] |
| ПИН-Размеры выводов | 0.00 [mm] |
Альтернатив и заменителей
| Альтернатива 1: | 176372 - CAS300M12BM2 (WO) |
| Альтернатива 2: | 173619 - SKM500MB120SC (SMK) |
| Альтернативные продукты 1: | MD400HFR120C2S |
| Альтернативные продукты 2: | FF3MR12KM1 |
| Альтернативные продукты 3: | FF2MR12KM1 |
!_souvisejici zbozi_! - MSCSM120AM036D3AG
 |
I+SEMITRANS3- 62x106=005W-AL Thermally Conductive Pad for insulated Packages as SEMITRANS-3 and in size 62x106mm ID: 176035 Обозначение производителя: F05-AL2-62x106mm
| Общий запас: 761 Производитель: - |
Все цены указаны без НДС и не включают в себя транспортные расходы, которые будут добавлены к порядку как отдельный элемент.