Чешская pеспублика (čeština) английский Германия (Deutsch) Австрия (Deutsch) Швейцария (Deutsch) Словакия (slovenčina) Венгрия (Magyarország) Румыния (Română) Франция (Française) Италия (italiano) Польша (polski) Эстония (eesti keel) Россия (pусский) Испания (español) Словения (slovenščina) Хорватия (hrvatski) Болгария (български)
У вас нет товаров в вашей корзине

MSCSM120A10CT1AG

Full SiC MOSFET 1200V / 24A

!_prilohy_!:
Нажмите, чтобы увеличить
MSCSM120A10CT1AG Microchip Technology - Microsemi
MSCSM120A10CT1AG Microchip Technology - Microsemi
MSCSM120A10CT1AG Microchip Technology - Microsemi
штук
ID Code:186233
Производитель:Microchip Technology - Microsemi
Цена с НДС : 97,2666 €
Цена без НДС : 80,3856 €
VAT:21 %
Доступность:по запросу
Общий запас:0 штук
Маркировка изготовителя: MSCSM120A10CT1AG
Центральный склад Zdice: 0 штук
Внешний склад (срок поставки 5÷10 дней): 0 штук
Единица:: штук
!_prehled mnozstevnich slev_!
КоличествоЦена без НДСЦена с НДС
1 + 80,3856 €97,2666 €
3 + 78,4970 €94,9813 €
5 + 77,5526 €93,8387 €
10 + 76,6083 €92,6960 €
• SiC Power MOSFET - High speed switching, - Low RDS(on), - Ultra low loss
• SiC Schottky Diode, - Zero reverse recovery, - Zero forward recovery, - Temperature Independent switching behavior, - Positive temperature coefficient on VF
• Very low stray inductance
• Internal thermistor for temperature monitoring
• High level of integration
• AlN substrate for improved thermal performance

Основная информация:

Маркировка изготовителяMSCSM120A10CT1AG 
Type of casing:MODUL 
Kейс:!_modul-sp1f_! 
KategorieFull SiC (MOS+D) 
Конфигурация:!_half bridge_! 
Тип материала:!_sic_! 
RoHSДа 
REACHHет 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Упаковка и вес:

Единица:штук 
Вес:80 [g]
Тип упаковки:BOX 
Малый пакет (количество единиц):10 

Электрофизические параметры:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)30 [A]
Idc max (Tc/Ta=25°C)30 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)24 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)146  [W]
Input Logic Level (Ugs level)20V 
Rds(on) 10V (Ugs=10V)100 [mΩ]
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)31 [ns]
tr (Turn-on / rise time)30 [ns]
tf (turn-off=fall time)25 [ns]
Ft (transition/operation frequency) (@Inom.)0.05 [MHz]
Qg (Total Gate Charge)64 [nC]
Cin/CL Load Capacitance838 pF

Тепловые и механические параметры:

Tmin (mинимальная рабочая температура)-40 [°C]
Tmax (mаксимальная рабочая температура)150 [°C]
Rthjc1 IGBT1.03 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor1.55 [°C/W]
ПИН-Размеры выводов0.00 [mm]

Ваш запрос MSCSM120A10CT1AG

!_vase jmeno, prijmeni, firma_!:*
!_vas email_!:*
!_vas telefon_!:*
Ваш запрос:*
Пожалуйста, перепишите код:* antispam
     Дополнительная информация

!_poslete odkaz svemu znamenu_!

!_vase jmeno_!
!_vas email_!
!_email vaseho znameho_!
Пожалуйста, переписать код с картинки antispam

В предоставление услуг поможет нам в печенье. С помощью наших услуг вы согласие на использование нами cookie-файлов.   Дополнительная информация