IGBT 4500V /1200A Single, AlSiC
Основная информация:
Маркировка изготовителя | DIM1200ASM45-TS000 |
Type of casing: | MODUL |
Kейс: | MODUL - A |
Конфигурация: | !_singl-e 3*(t+d)_! |
Тип материала: | AlSiC база |
Материал: Корпус | Si-Silicon |
RoHS | Да |
REACH | Hет |
NOVINKA | A |
RoHS1 | Ano |
Упаковка и вес:
Единица: | штук |
Вес: | 1700 [g] |
Тип упаковки: | BOX |
Малый пакет (количество единиц): | 2 |
Электрофизические параметры:
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 4500 [V] |
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 1200 [A] |
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 1200 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 7400 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 2.8 [VDC] |
UCE (sat) (@25°C) | 3.5 [V] |
I2t (TC/TA=25°C) | 460 [1000*A2s] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 12500 [W] |
Input Logic Level (Ugs level) | 20V |
tr (Turn-on / rise time) | 290 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 400 [ns] |
Ft (transition/operation frequency) (@Inom.) | 0.0008 [MHz] |
Qg (Total Gate Charge) | 17000 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 150000 pF |
Тепловые и механические параметры:
Tmin (mинимальная рабочая температура) | -40 [°C] |
Tmax (mаксимальная рабочая температура) | 125 [°C] |
Rthjc (case) | 0.008 [°C/W] |
ПИН-Размеры выводов | 0.00 [mm] |
Альтернатив и заменителей
Альтернативные продукты 1: | CM1200HC-90R |